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| IRG4RC10UDTRRP [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRG4RC10UDTRRP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRG4RC10UDPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRG4RC10UD Saber Model IRG4RC10UD Spice Model |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.6V @ 15V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8.5A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 34A |
| 功率 - 最大值 | 38W |
| Switching Energy | 260µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (on/off) A 25°C | 40ns/87ns |
| Test Condition | 480V, 5A, 100 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 28ns |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
