数据列表 | IRG4PH40UD2-EP |
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产品相片 | IRG4PH40UD2-EP |
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.1V @ 15V,21A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 41A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 82A |
功率 - 最大值 | 160W |
Switching Energy | 3660µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 100nC |
Td (on/off) A 25°C | 22ns/100ns |
Test Condition | 800V, 21A, 10 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 50ns |
封装/外壳 | TO-247-3(TO-247AD) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
产品目录页面 | 1517 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2EP |