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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT 900V 51A 200W TO247AC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: IRG4PF50WPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: IRG4PF50WPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT, 900V, 51A, TO-247AC
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IRG4PF50WPBF [更多] | Infineon Technologies AG | 900V WARP 20-100 KHZ DISCRETE IGBT IN ATO-247AC PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRG4PF50WPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRG4PF50WPBF [更多] | International Rectifier | IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.25 V Current release time: 150 ns Power dissipation: 200 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRG4PF50WPBF | International Rectifier | IGBT WARP 900V 51A TO247AC | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies IGBT 900V 51A 200W TO247AC 详细描述:IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC 型号:IRG4PF50WPBF 仓库库存编号:IRG4PF50WPBF-ND 别名:*IRG4PF50WPBF <br>63-6017PBF <br>63-6017PBF-ND <br>SP001533582 <br> | 无铅 | 搜索 |
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![]() | International Rectifier 900V WARP 20-100 KHZ DISCRETE IGBT IN ATO-247AC PACKAGE 型号:IRG4PF50WPBF 仓库库存编号:70017078 | ![]() | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRG4PF50WPBF![]() | 8650659 | INFINEON 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚 ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | IR IGBT TO-247AC 900 V 51 A, IRG4PF50WPBF, IR 型号:IRG4PF50WPBF 仓库库存编号:171-39-801 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRG4PF50WPBF 品牌: Infineon 库存编号: 541-2060 | 搜索 |
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数据列表 | IRG4PF50WPbF |
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产品相片 | TO-247-3 |
产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRG4PF50WPBF Saber Model IRG4PF50WPBF Spice Model |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 900V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,28A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 51A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 204A |
功率 - 最大值 | 200W |
Switching Energy | 1.25mJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 160nC |
Td (on/off) A 25°C | 29ns/110ns |
Test Condition | 720V, 28A, 5 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-247-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
产品目录页面 | 1516 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRG4PF50WPBF |