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IRFZ48NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFZ48NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ48NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, D2-PAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 14 mOhm 81 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRFZ48NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55V 14 mOhm 81 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 14 Milliohms, ID 64A, D2Pak, PD 130W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFZ48NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 64A, 14 MOHM, 54 NC QG, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFZ48NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 14 Milliohms, ID 64A, D2Pak, PD 130W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 130 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFZ48NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 64A, 140W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFZ48NS | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK 型号:IRFZ48NSTRR 仓库库存编号:IRFZ48NSTRR-ND | 含铅 |
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![]() | IRFZ48NSPB International Rectifier | ER - 55V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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IRFZ48NSPBF![]() | 1013480 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
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| 制造商零件编号: IRFZ48NSPBF 品牌: Infineon 库存编号: 784-0307 | 搜索 |
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数据列表 | IRFZ48NS/NL |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRFZ48NS Saber Model IRFZ48NS Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 64A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 14 毫欧 @ 32A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 81nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1970pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRFZ48NS |