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IRFZ24NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRFZ24NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 17A, 70 MOHM, 13.3 NC QG, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRFZ24NSTRR | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK 型号:IRFZ24NSTRR 仓库库存编号:IRFZ24NSTRR-ND | 含铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRFZ24NS/L |
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产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRFZ24NSPBF Saber Model IRFZ24NSPBF Spice Model |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 17A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 70 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 370pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |