INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFU9N20DPBF - 场效应管 MOSFET N I-PAK 200V 9.4A - IRFU9N20DPBF
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IRFU9N20DPBF
制造商型号:
IRFU9N20DPBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N I-PAK 200V 9.4A
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效???管 MOSFET N I-PAK 200V 9.4A
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 9.4A
漏源电压, Vds: 200V
在电阻RDS(上): 380mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 5.5V
功耗, Pd: 86W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-251
针脚数: 4
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 86W
功耗, Pd: 86W
封装/箱盒: TO-251 (I-Pak)
封装类型, 其它: I-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
时间, t off: 9.3ns
时间, t on: 16ns
热阻, 结点至外壳A: 1.75°C/W
电流, Idm 脉冲: 38A
通态电阻 @ Vgs = 10V: 380ohm
产地: MX Mexico
旗下站点
www.szcwdz.com
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www.szcwdz.com.cn
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型号: IRFU9N20DPBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N I-PAK 200V 9.4A
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MOSFET,N沟道,600V,2A,TO251AA
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