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| IRFU4620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFU4620PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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| IRFU4620PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 24A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251） 型号：IRFU4620PBF 仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND 别名：SP001573610 | 无铅 |
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| 制造商零件编号： IRFU4620PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-7153 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 200 V 24 A 144 W IPAK, IRFU4620PBF, IR 型号：IRFU4620PBF 仓库库存编号：171-02-362 |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFR/IRFU4620PbF |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 24A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 78 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1710pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 144W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 产品目录页面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
