型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFSL23N20D102P | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262 型号:IRFSL23N20D102P 仓库库存编号:IRFSL23N20D102P-ND | 无铅 |
数据列表 | IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF |
---|---|
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 24A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1960pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | TO-262 |