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International Rectifier - IRFS7437TRLPBF - MOSFET N CH 40V 195A D2PAK - IRFS7437TRLPBF
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IRFS7437TRLPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

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MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

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MOSFET 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET

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Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFS7437TRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFS7437TRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFS7437TRLPBF)

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Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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IRFS7437TRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 250 A, 40 V, 3-Pin D2PAK

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Infineon Technologies - IRFS7437TRLPBF - MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-263AB

型号:IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:IRFS7437TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7437TRLPBFCT <br>

无铅
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International Rectifier - IRFS7437TRLPBF - 3-Pin D2PAK 40 V 250 A IRFS7437TRLPBF N-channel MOSFET Transistor|70394781 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
IRFS7437TRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 250 A, 40 V, 3-Pin D2PAK


型号:IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:70394781

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IRFS7437TRLPBF
INFINEON IRFS7437TRLPBF
2458884

INFINEON

MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0014OHM, 195A,

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFS7437TRLPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7437TRLPBF, 250 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRFS7437TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4206
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IRFS7437TRLPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFS7437TRLPBF
制造商型号: IRFS7437TRLPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 IRFS(L)7437PbF
产品相片 D2Pak,TO-263_418B?04
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色产品 StrongIRFET? Power MOSFET Family
PCN Assembly/Origin Mosfet Wafer Process 30/Jul/2013
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列StrongIRFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)195A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.8 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)225nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7330pF @ 25V
功率 - 最大值230W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB
其它名称IRFS7437TRLPBFTR

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