型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFR1205TRPBF 库存编号:IRFR1205PBFCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 13997 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥18.19 ¥12.4 ¥9.18 ¥7.25 ¥6.63 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRFR1205TRPBF 库存编号:IRFR1205PBFDKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 13997 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥18.19 ¥12.4 ¥9.18 ¥7.25 ¥6.63 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRFR1205TRPBF 库存编号:IRFR1205PBFTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 12000 2000起订 | 2000+ 4000+ 6000+ | ¥6.08 ¥5.67 ¥5.61 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IRFR1205PBF 库存编号:IRFR1205PBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 0 2000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFR1205PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 55V, 0.027OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 518 1起订 | 1+ 77+ 304+ | ¥24.14 ¥12.07 ¥9.66 | 1-3周 | 购买 |
IRFR1205PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 55V, 0.027OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 3 1起订 | 1+ | ¥14.49 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFR1205TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFR1205TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK (Alt: SP001552040) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Bulk (Alt: IRFR1205PBF) | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | 搜索 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | 搜索 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, D-PAK 55V 37A RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFR1205PBF N-channel MOSFET Transistor, 44 A, 55 V, 3-Pin DPAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
IRFR1205PBF [更多] | International Rectifier | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFR1205PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 69 W | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFR1205PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | IR MOSFET N, 55 V 37 A 69 W DPAK, IRFR1205PBF, IR 型号:IRFR1205PBF 仓库库存编号:171-17-070 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFR1205PBF![]() | 8649650 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFR1205PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRFR1205PBF 品牌: Infineon 库存编号: 541-0115 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRFR1205PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
数据列表 | IRFR/U1205PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFR1205 Saber Model IRFR1205 Spice Model |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 44A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 27 毫欧 @ 26A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1300pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 107W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |