数据列表 | IRFI4019H-117P |
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产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFI4019H-117P Saber Model IRFI4019H-117P Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.7A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 95 毫欧 @ 5.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 810pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 18W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-5 整包 |
供应商器件封装 | TO-220-5 整包 |
配用 | |
其它名称 | IRFI4019H117P |