| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFHS8342TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 数据列表 | IRFHS8342PBF |
|---|---|
| 产品相片 | 6-PowerVDFN |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFHS8342TR2PBF Saber Model IRFHS8342TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.8A （Ta）， 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VQFN |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
