PDF查询| 数据列表 | IRFH6200PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFH5250TR2PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFH6200TR2PBF Saber Model IRFH6200TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 45A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.2 毫欧 @ 50A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 230nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 10890pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR |
