| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R - Tape and Reel (Alt: IRFH5210TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: IRFH5210TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R (Alt: SP001556226) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, 100V, 63A, PQFN-8 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5x6 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFH5210TRPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: PQFN-6 (2x2) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 3.6 W | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFH5210TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRFH5210TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN  | 查价格库存 查看详细 |
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| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR Power FET PQFN-6 (2x2) N 100 V 10 A, IRFH5210TRPBF, IR 型号：IRFH5210TRPBF 仓库库存编号：300-38-469 | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFH5210TRPBF | 2580006 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
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| IRFH5210TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IRFH5210PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFH5250TR2PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRFH5210TR2PBF Saber Model IRFH5210TR2PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Ta）， 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14.9 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2570pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
