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International Rectifier - IRFH5206TRPBF - MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN - IRFH5206TRPBF
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IRFH5206TRPBF
库存编号:IRFH5206TRPBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN0
4000起订
6-10天询价 询价
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IRFH5206TRPBF
库存编号:IRFH5206TRPBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN0
1起订
1+
¥13.21
6-10天询价 询价
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IRFH5206TRPBF
库存编号:IRFH5206TRPBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN0
1起订
6-10天询价 询价
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  新加坡3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
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IRFH5206TRPBF
库存编号:2577225
Infineon Technologies AG , MOSFET, , N, 20V, 2.4A, USOIC-80
4000起订
4000+
12000+
¥21.02
¥15.52
1-2周询价 询价
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IRFH5206TRPBF International Rectifier  
16
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IRFH5206TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 60V SINGLE N-CH 6.7mOhms 40nC

RoHS: Compliant

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IRFH5206TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 16A, PQFN-8

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IRFH5206TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 16A, PQFN-8

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IRFH5206TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, 60V, 87A, 7mOhm, 40 nC Qg, PQFN5x6

RoHS: Compliant

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IRFH5206TRPBF
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International Rectifier  

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IRFH5206TRPBF
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International Rectifier

Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 100 W

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IRFH5206TRPBF|International RectifierIRFH5206TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
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MOSFET N-CH 60V 87A 8-PQFN
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IRFH5206TRPBF
INFINEON IRFH5206TRPBF
2577162

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFH5206TRPBF
INFINEON IRFH5206TRPBF
2577225

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFH5206TRPBF.
INFINEON IRFH5206TRPBF.
2371274

INFINEON

场效应管, MOSFET晶体管, 整卷

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IRFH5206TRPBF|International RectifierIRFH5206TRPBF
International Rectifier
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IR - IRFH5206TRPBF - Power FET PQFN-8 (3x3) N 60 V 89 A, IRFH5206TRPBF, IR
IR
Power FET PQFN-8 (3x3) N 60 V 89 A, IRFH5206TRPBF, IR


型号:IRFH5206TRPBF
仓库库存编号:300-38-468

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IRFH5206TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFH5206TRPBF
制造商型号: IRFH5206TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IRFH5206PBF
产品相片 IRFH5250TR2PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRFH5206TR2PBF Saber Model
IRFH5206TR2PBF Spice Model
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2490pF @ 25V
功率 - 最大值3.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVQFN
供应商器件封装PQFN(5x6)
其它名称IRFH5206TRPBF-ND
IRFH5206TRPBFTR

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旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IRFH5206TRPBF
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