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International Rectifier - IRFH3702TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN - IRFH3702TR2PBF
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IRFH3702TR2PBF|International Rectifier
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IRFH3702TR2PBF
制造商型号: IRFH3702TR2PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IRFH3702PBF
产品相片 IRFH3707TR2PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRFH3702TR2PBF Saber Model
IRFH3702TR2PBF Spice Model
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A (Ta), 42A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7.1 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1510pF @ 15V
功率 - 最大值2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PQFN (3x3)
产品目录页面1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRFH3702TR2PBFCT

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