| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Rail/Tube (Alt: IRFB812PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 500 V 2.2 Ohm 20 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFB812PBF N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB812PBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFB812PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，500V，3.6A，HEXFET，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB 型号：IRFB812PBF 仓库库存编号：IRFB812PBF-ND 别名：SP001563948 <br> |  | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFB812PBF | 2062109 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 500 V, 1.75 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFB812PBF 品牌： Infineon 库存编号： 748-1939 | 搜索 |
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 | IRFB812PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，500V，3.6A，HEXFET，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFB812PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 500V 3.6A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| IRFB812PBF. INTERNATIONAL RECTIFIER | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| IRFB812PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 500V 3.6A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| IRFB812PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，500V，3.6A，HEXFET，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| IRFB812PBF International Rectifier | N-CHANNEL FET | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 810 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 78 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 16.51mm |
