| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB4115GPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRFB4115GPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 11 mOhm 120 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFB4115GPBF N-channel MOSFET Transistor, 104 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFB4115GPBF [更多] | International Rectifier | 104 A, 150 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFB4115GPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFB4115GPBF 品牌： Infineon 库存编号： 827-3953 | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB 型号：IRFB4115GPBF 仓库库存编号：IRFB4115GPBF-ND 别名：SP001572390 <br> |  | 搜索 |
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 | IRFB4115GPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFB4115GPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 104A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 62A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
