典型关断延迟时间 | 16 ns | |
典型接通延迟时间 | 9.7 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC V @ 4.5, 9.1 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 386 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3.99mm | |
封装类型 | SOIC N | |
尺寸 | 4.98 x 3.99 x 1.57mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2500 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.059 Ω | |
最大连续漏极电流 | 5.4 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 四漏极、单、三源 | |
长度 | 4.98mm | |
高度 | 1.57mm |