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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF9130 - 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3 - IRF9130
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IRF9130|INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF9130
制造商型号： IRF9130
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 11A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 300mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
  • 功耗, Pd: 75W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-3
  • 针脚数: 2
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 75W
  • 功耗, Pd: 75W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 81mJ
  • 安装孔中心距: 30mm
  • 封装/箱盒: TO-3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 引脚节距: 11mm
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 7.5mJ
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: -11A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
  • 电压, Vds 典型值: -100V
  • 电压, Vgs 最高: -4V
  • 电流, Idm 脉冲: 50A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: 通孔
  • 重复雪崩电流, Iar: 11A
  • 重量: 0.012kg
  • 阈值电压, Vgs th 最高: -4V

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