| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF8736PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC (Alt: IRF8736PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N SO-8
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 26 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 26 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 30V, 18A, 4.8 MOHM, 17 NC QG, SO-8, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF8736PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 18A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF8736PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，18A，HEXFET，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF8736PBF 品牌： Infineon 库存编号： 495-619 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 30 V 14.4 A 2.5 W SO-8, IRF8736PBF, IR 型号：IRF8736PBF 仓库库存编号：171-38-084 |  | 搜索 |
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 | IRF8736PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，18A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF8736PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF8736PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF8736PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF8736PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，18A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF8736PBF | 1551903 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V (EN) | 搜索 |
IRF8736PBF | 2565779 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC (EN) | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 13 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2315 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.005 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
