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| IRF8734PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF8734PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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| IRF8734PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 21A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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 | IR MOSFET N, 30 V 21 A 2.5 W SO-8, IRF8734PBF, IR 型号：IRF8734PBF 仓库库存编号：171-02-321 | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF8734PBF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF8734PBF Saber Model IRF8734PBF Spice Model |
| 标准包装 | 95 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.5 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3175pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
