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International Rectifier - IRF7853PBF - MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC - IRF7853PBF
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IRF7853PBF
库存编号:IRF7853PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO0
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IRF7853PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,8.3A I(D),SO10
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￥211.21
￥154.89
￥140.81
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IRF7853PBF
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MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7853PBF
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MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC

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IRF7853PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7853PBF)

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IRF7853PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7853PBF)

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IRF7853PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

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IRF7853PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 14.4 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, gFS 11S

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier  

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

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IRF7853PBF
[更多]		 TT Electronics Resistors

MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7853PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Rohs

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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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IRF7853PBF|International RectifierIRF7853PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF7853PBF
INFINEON IRF7853PBF		1298555

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

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IRF7853PBF
INFINEON IRF7853PBF		1298555RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.9 V

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IR - IRF7853PBF - MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 6.6 A 2.5 W SO-8, IRF7853PBF, IR

型号：IRF7853PBF
仓库库存编号：171-37-946

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

International Rectifier - IRF7853PBF - gFS 11S PD 2.5W SO-8 ID 8.3A RDS(ON) 14.4 Milliohms VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017361 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S

型号：IRF7853PBF
仓库库存编号：70017361

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7853PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
IRF7853PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-6888
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IRF7853PBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF7853PBF
制造商型号： IRF7853PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 IRF7853PbF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  95
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）8.3A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）18 毫欧 @ 8.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1640pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO
配用
IRAC1166-100W-ND - BOARD DEMO 100W FOR IR1166

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