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| IRF7807D2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7807D2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | 30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7807D2TRPBF 仓库库存编号：IRF7807D2PBFCT-ND 别名：*IRF7807D2TRPBF <br>IRF7807D2PBFCT <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF7807D2PbF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FETKY™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 产品目录页面 | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRF7807D2PBFTR IRF7807D2TRPBF-ND IRF7807D2TRPBFTR-ND |
