| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7759L2TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R (Alt: IRF7759L2TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 75V 160A 15-Pin Direct-FET L8 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 75V, 160A, DIRECTFET L8
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 75 V 2.3 mOhm 200 nC HEXFET? Power Mosfet - DirectFET? RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7759L2TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 75V, 160A, 2.3 MOHM, 200NC QG RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7759L2TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7759L2TRPBF | 2579994 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V  (EN) | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF7759L2TR(1)PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRF7739L2TR1PBF |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF7759L2TR1PBF Saber Model IRF7759L2TR1PBF Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 26A （Ta）， 375A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.3 毫欧 @ 96A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 12222pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等距 L8 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
