数据列表 | IRF7726 |
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产品相片 | 8-MSOP |
设计资源 | IRF7726TR Saber Model IRF7726TR Spice Model |
标准包装 | 80 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 26 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2204pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.79W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商器件封装 | Micro8? |
其它名称 | *IRF7726 |