| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R (Alt: IRF7601TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 8-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7601TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, USOIC
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| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 0.050 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF7601TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 20 V 0.050 Ohm 22 nC HEXFET? Power Mosfet - MICRO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7601TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8? 型号：IRF7601TRPBF 仓库库存编号：IRF7601TRPBFCT-ND 别名：IRF7601TRPBFCT <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF7601PbF |
|---|---|
| 产品相片 | 8-MSOP |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF7601TR Saber Model IRF7601TR Spice Model |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 35 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装 | Micro8? |
| 其它名称 | IRF7601TRPBF-ND IRF7601TRPBFTR |
