PDF查询| 典型关断延迟时间 | 15（N 沟道）ns，38（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.7（N 沟道）ns，9.1（P 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V（N 沟道），5.4 nC @ 4.5 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF @ 15 V（P 沟道），260 pF @ 15 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3mm | |
| 封装类型 | Micro8 | |
| 尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.14（N 沟道）Ω、0.27（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7（P 沟道）A，2.4（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.86mm |
