| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs
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| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs
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| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7316PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7316PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual P-Channel 30 V 0.058 Ohm 23 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.042Ohm, ID -4.9A, SO-8, PD 2W, VGS +/-20 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: P/P Power dissipation: 2.0 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7316PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -4.9A, 2W, SO8, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7316PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，4.9A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7316PBF | 9102221 | INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.9 A, -30 V, 58 mohm, -10 V, -1 V  (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF 7316PBF International Rectifier | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7316PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，4.9A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7316PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET P/P, -30 V -4.9 A 2.0 W SO-8, IRF7316PBF, IR 型号：IRF7316PBF 仓库库存编号：171-15-595 | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.042Ohm; ID -4.9A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20 型号：IRF7316PBF 仓库库存编号：70017578 |  | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF7316PBF 品牌： Infineon 库存编号： 300-616 | 搜索 |
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| IRF7316PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7316PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，4.9A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7316PBF International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 710 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.058 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
