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IRF7311PBF 库存编号:IRF7311PBF-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO	0 起订			6-10天询价	询价查看资料
IRF7311TRPBF 库存编号:IRF7311PBFDKR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO	0 1起订	1+	￥13.83	6-10天询价	询价查看资料
IRF7311TRPBF 库存编号:IRF7311PBFCT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO	0 1起订			6-10天询价	询价查看资料
IRF7311TRPBF 库存编号:IRF7311PBFTR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO	0 1起订			6-10天询价	询价查看资料

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IRF7311PBF	International Rectifier	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.6A I(D), 20V, 0.029OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA	128 1起订	1+ 31+ 69+	￥73.15 ￥40.23 ￥36.58	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["IRF7311PBF"],"cvcBrand":[" International Rectifier "],"cvcNumberAll":["1,31,69,"],"cvcPriceAll":["73.15,40.23,36.58,"],"maxnum":["128"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

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MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7311PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube

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MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8

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Infineon Technologies AG

IRF7311PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/N Power dissipation: 2.0 W

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Transistor: N-MOSFET x2, unipolar, 20V, 6.6A, 2W, SO8, HEXFET?

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IRF7311PBF	International Rectifier	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC	查看库存、价格及货期

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
IRF7311PBF	1013364	INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV (EN)	搜索

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产品描述 / 参考图片

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Infineon HEXFET 系列双 Si N沟道 MOSFET IRF7311PBF, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
IRF7311PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
610-6687

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF	操作
	IR MOSFET N/N, 20 V 6.6 A 2.0 W SO-8, IRF7311PBF, IR 型号：IRF7311PBF 仓库库存编号：171-15-538		搜索

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IRF7311PBF
制造商型号： IRF7311PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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产品信息

数据列表	IRF7311PBF
产品相片	8-SOIC
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源	IRF7311TRPBF Saber Model IRF7311TRPBF Spice Model
标准包装	95
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 阵列
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	6.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	29 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	900pF @ 15V
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

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