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IRF7306QPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS -30V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -3.6A, SO-8, PD 2W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF7306QPB | International Rectifier | MOSFET,双,P沟道,30V,3.6A,HEXFET,SOIC8 | 查看库存、价格及货期 |
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典型关断延迟时间 | 25 ns | |
典型接通延迟时间 | 11 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 25 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 440 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SOIC | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |