数据列表 | IRF6892STR(1)PBF |
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产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 28A (Ta), 125A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.7 毫欧 @ 28A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2510pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 S3C |
供应商器件封装 | DIRECTFET? S3C |