| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF6722STR1PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，13A，HEXFET，Direct-FET，ST | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 8.5 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1320 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 封装类型 | DirectFET ST | |
| 尺寸 | 4.85 x 3.95 x 0.62mm | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最大功率耗散 | 2200 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、四漏极、单 | |
| 长度 | 4.85mm | |
| 高度 | 0.62mm |
