PDF查询| 典型关断延迟时间 | 5.2 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.8 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1190 pF V @ 13 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 封装类型 | DirectFET S1 | |
| 尺寸 | 4.85 x 3.95 x 0.66mm | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1800 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.006 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 4.85mm | |
| 高度 | 0.66mm |
