| 数据列表 | IRF6655 |
|---|---|
| 产品相片 | IRF6706S2TR1PBF |
| PCN Obsolescence | (PMD) Leaded Parts 25/May/2012 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.2A （Ta）， 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.8V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET? SH |
