| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF3709ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF3709ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 30V, 87A, 6.3 MOHM, 17 NC QG, D2-PAK, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF3709ZSPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF3709ZSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK 型号：IRF3709ZSPBF 仓库库存编号：IRF3709ZSPBF-ND 别名：*IRF3709ZSPBF <br>SP001551038 <br> | | 搜索 |
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 | International Rectifier MOSFET, N Ch., 30V, 87A, 6.3 MOHM, 17 NC QG, D2-PAK, Pb-Free 型号：IRF3709ZSPBF 仓库库存编号：70017981 |  | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF3709ZSPBF | 1436944 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 2.25 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 30 V 62 A 79 W D2PAK, IRF3709ZSPBF, IR 型号：IRF3709ZSPBF 仓库库存编号：171-38-902 | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF3709Z(S,L)PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF3709ZL Saber Model IRF3709ZL Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 87A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 79W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF3709ZSPBF |
