| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF1010NSTRLPBF 库存编号:942-IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies AG | MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC | 6775 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 800+ | ￥17.38 ￥13.12 ￥10.94 ￥9.94 ￥8.68 | 6-10天 | 购买 |
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF1010NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF1010NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| IRF1010NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 11 Milliohms, ID 85A, D2Pak, PD 180W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK 型号：IRF1010NSTRR 仓库库存编号：IRF1010NSTRR-ND | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF1010NS(L) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 设计资源 | IRF1010NS Saber Model IRF1010NS Spice Model |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 85A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 180W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
