PDF查询| 典型关断延迟时间 | 42 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2545 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 封装类型 | DirectFET M2 | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.05 x 0.57mm | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 46 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.9 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、四漏极 | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 高度 | 0.57mm |
