典型关断延迟时间 | 22(N 沟道)ns,25(P 沟道)ns | |
典型接通延迟时间 | 11(P 沟道)ns,6.8(N 沟道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 25 nC V @ 10(N 沟道),25 nC V @ -10(P 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 440 pF @ -25 V(P 沟道),520 pF @ 25 V(N 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4mm | |
封装类型 | SO-8 | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.5 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30(N 沟道)V,-30(P 沟道)V | |
最大漏源电阻值 | 0.075(N 沟道)Ω,0.18(P 沟道)Ω | |
最大连续漏极电流 | -4.3(P 沟道)A,5.8(N 沟道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |