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International Rectifier - AUIRF2907ZS-7 - MOSFET，N沟道，75V，180A，HEXFET，D2PAK-7 - AUIRF2907ZS7
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AUIRF2907ZS-7P
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MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms

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AUIRF2907ZS7PTL
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms

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[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms

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型号 制造商 描述 操作
AUIRF2907ZS-7P
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AUIRF2907ZS-7 International Rectifier MOSFET，N沟道，75V，180A，HEXFET，D2PAK-7 查看库存、价格及货期
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Infineon - AUIRF2907ZS-7P - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
AUIRF2907ZS-7P
品牌：
Infineon
库存编号：
737-7427
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Infineon - AUIRF2907ZS-7P - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
AUIRF2907ZS-7P
品牌：
Infineon
库存编号：
912-8582
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Infineon Technologies - AUIRF2907ZS7PTL - MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 180A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）

型号：AUIRF2907ZS7PTL
仓库库存编号：AUIRF2907ZS7PTL-ND
别名：SP001516558
无铅
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无图AUIRF2907ZS-7
International Rectifier		MOSFET，N沟道，75V，180A，HEXFET，D2PAK-7
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International Rectifier		MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
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无图AUIRF2907ZS-7
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
AUIRF2907ZS-7
制造商型号： AUIRF2907ZS-7
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，75V，180A，HEXFET，D2PAK-7
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
典型关断延迟时间92 ns
典型接通延迟时间21 ns
典型栅极电荷@Vgs170 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds7580 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度10.05mm
封装类型D2PAK
尺寸10.35 x 10.05 x 4.55mm
引脚数目7
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散300 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压75 V
最大漏源电阻值3.8 mΩ
最大连续漏极电流180 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置五源、单
长度10.35mm
高度4.55mm

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