PDF查询| 数据列表 | HTNFET |
|---|---|
| 产品相片 | 8-DIP |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HTMOS™ |
| 包装 | 散装 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | - |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 400 毫欧 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.3nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 290pF @ 28V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-CDIP 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-CDIP-EP |
| 产品目录页面 | 1201 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 342-1078 |
