型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 50A | 查看库存、价格及货期 |
数据列表 | GA50JT12-247 |
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标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | * |
包装 | * |
FET 类型 | 碳化硅,常闭 |
FET 功能 | 超级结 |
漏源极电压 (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 28 mOhm @ 50A, 100mA |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 5W |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | 1242-1191 GA50JT12247 |