FAIRCHILD - NDS355N - N沟道 30 V 0.125 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3 - NDS355N
库存查询
网站首页
公司简介
制造商索引
产品索引
人才招聘
联系我们
您现在的位置:
首页
>
制造商索引
>
FAIRCHILD
-
NDS355N
- N沟道 30 V 0.125 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3 - NDS355N
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存
50个仓库,1500万条库存数据任选
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NDS355N
制造商型号:
NDS355N
制造商:
FAIRCHILD
描述:
N沟道 30 V 0.125 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.125 Ω
Qg Gate Charge:
5 nC
Rated Power Dissipation:
0.46 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
NDS355N
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
NDS355N
询价
*所需产品:
型号: NDS355N 品牌: FAIRCHILD 备注: N沟道 30 V 0.125 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
类似产品
NDS355AN_G
FAIRCHILD
N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
NDS355AN_Q
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-Channel Logic
NDS355N
FAIRCHILD
N沟道 30 V 0.125 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3
NDS355N
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
场效应管 MOSFET N沟道 0.500W SuperSOT-3
NDS356AP
FAIRCHILD
P沟道 30 V 0.3 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管 - SSOT-3
电话:400-900-3095 邮箱:
sales@szcwdz.com
QQ:
800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司
www.szcwdz.cn
粤ICP备11103613号