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FAIRCHILD - FQT4N20LTF - FQT4N20L 系列 200 V 1.35 Ohm 5.2 nC 逻辑 N 沟道 MOSFET - SOT-223 - FQT4N20LTF
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FQT4N20LTF|FAIRCHILD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FQT4N20LTF
制造商型号： FQT4N20LTF
制造商： FAIRCHILD
描述： FQT4N20L 系列 200 V 1.35 Ohm 5.2 nC 逻辑 N 沟道 MOSFET - SOT-223
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 1.35 Ω
  • Qg Gate Charge: 5.2 nC
  • Rated Power Dissipation: 2.2 W

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