FAIRCHILD - FQD19N10TM - FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3 - FQD19N10TM
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FQD19N10TM
- FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3 - FQD19N10TM
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FQD19N10TM
制造商型号:
FQD19N10TM
制造商:
FAIRCHILD
描述:
FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
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订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
100 V
Drain-Source On Resistance-Max:
100 mΩ
Qg Gate Charge:
25 nC
Rated Power Dissipation:
2.5 W
旗下站点
www.szcwdz.com
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FQD19N10TM
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型号: FQD19N10TM 品牌: FAIRCHILD 备注: FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3
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