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FAIRCHILD - FQB4N80TM - FQB4N80 系列 800 V 3.6 Ohm 25 nC 表面贴装 N-沟道 MOSFET - D2PAK-3 - FQB4N80TM
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FQB4N80TM|FAIRCHILD
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FQB4N80TM
制造商型号： FQB4N80TM
制造商： FAIRCHILD
描述： FQB4N80 系列 800 V 3.6 Ohm 25 nC 表面贴装 N-沟道 MOSFET - D2PAK-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 3.6 Ω
  • Qg Gate Charge: 25 nC
  • Rated Power Dissipation: 3.13 W

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FQB4N80TM
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