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FAIRCHILD - FDC2612 - FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6 - FDC2612
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型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET 200V NCh PowerTrench

RoHS: Compliant

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FDC2612_F095
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET 200V 1.1A N-CH POWERTRENCH

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

Unidentified

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型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC2612)

RoHS: Compliant

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FDC2612
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Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R (Alt: FDC2612)

RoHS: Compliant

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin SuperSOT T/R (Alt: FDC2612)

RoHS: Compliant

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  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

200V/20V, 725MO, NCH, SINGLE,

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型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

200V/20V, 725MO, NCH, SINGLE,

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

200V/20V, 725MO, NCH, SINGLE,

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6

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FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6

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  新加坡1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
FDC2612
[更多]		 ON Semiconductor

N-Channel 200 V 725 mohm PowerTrench Mosfet SSOT-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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FDC2612
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 1.1A, 1.6W, SuperSOT-6

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FDC2612 FAIRCHILD FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6 查看库存、价格及货期
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FDC2612|FAIRCHILDFDC2612
FAIRCHILD		FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6
Rohs

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FDC2612_F095|Fairchild SemiconductorFDC2612_F095
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FDC2612
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDC2612		2454150

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 200 V, 0.605 ohm, 10 V, 4 V

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FDC2612
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDC2612		2454150RL

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 200 V, 0.605 ohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDC2612|Fairchild SemiconductorFDC2612
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Rohs

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FDC2612_F095|Fairchild SemiconductorFDC2612_F095
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FDC2612 - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2612, 1.1 A, Vds=200 V, 6引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
FDC2612
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
759-9018
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
FDC2612_F095|Fairchild SemiconductorFDC2612_F095
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Rohs

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FDC2612|FAIRCHILDFDC2612
FAIRCHILD		FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6
Rohs

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FDC2612|Fairchild SemiconductorFDC2612
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Fairchild/ON Semiconductor - FDC2612 - MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6

型号：FDC2612
仓库库存编号：FDC2612CT-ND
别名：FDC2612CT
无铅

Fairchild/ON Semiconductor - FDC2612_F095 - MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6

型号：FDC2612_F095
仓库库存编号：FDC2612_F095-ND
 无铅
FDC2612|FAIRCHILD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FDC2612
制造商型号： FDC2612
制造商： FAIRCHILD
描述： FDC2612 系列 200 V 725 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 725 mΩ
  • Qg Gate Charge: 11 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.8 W

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDC2612
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: FDC2612
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