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Fairchild Semiconductor - SGH10N120RUFDTU - IGBT 晶体管 - SGH10N120RUFDTU
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型号 制造商 描述 操作
SGH10N60RUFDTU
[更多]		 ON Semiconductor

IGBT 600V 16A 75W TO3P

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SGH10N60RUFDTU
[更多]		 ON Semiconductor

IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SGH10N60RUFDTU
[更多]		 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail - Rail/Tube (Alt: SGH10N60RUFDTU)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SGH10N60RUFDTU
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation  

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SGH10N120RUFDTU Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 查看库存、价格及货期
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无图SGH10N120RUFDTU
Fairchild Semiconductor		IGBT 晶体管
Rohs

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SGH10N120RUFDTU|Fairchild SemiconductorSGH10N120RUFDTU
Fairchild Semiconductor		IGBT 晶体管
Rohs

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SGH10N120RUFDTU|Fairchild Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SGH10N120RUFDTU
制造商型号： SGH10N120RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT 晶体管
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:3 V
栅极/发射极最大电压:+/- 25 V
在25 C的连续集电极电流:16 A
栅极—射极漏泄电流:100 nA
功率耗散:125 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TO-3P-3
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:16 A
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole
工厂包装数量:30

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