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Fairchild Semiconductor - SGH10N120RUFDTU - IGBT 晶体管 - SGH10N120RUFDTU
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SGH10N120RUFDTU|Fairchild Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SGH10N120RUFDTU
制造商型号： SGH10N120RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT 晶体管
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:3 V
栅极/发射极最大电压:+/- 25 V
在25 C的连续集电极电流:16 A
栅极—射极漏泄电流:100 nA
功率耗散:125 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TO-3P-3
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:16 A
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole
工厂包装数量:30

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