FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS332P - 场效应管 MOSFET P SOT-23 - NDS332P
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- 场效应管 MOSFET P SOT-23 - NDS332P
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NDS332P
制造商型号:
NDS332P
制造商:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述:
场效应管 MOSFET P SOT-23
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P SOT-23
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 1A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 410mohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -600mV
功耗, Pd: 500mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
SMD标号: 332
功耗, Pd: 500mW
功耗, Pd: 500mW
外宽: 3.05mm
外部深度: 2.5mm
外部长度/高度: 1.12mm
封装/箱盒: SOT-23
带子宽度: 8mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 1A
电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
电压, Vds 典型值: -20V
电压, Vgs 最高: -600mV
电流, Idm 脉冲: 10A
阈值电压, Vgs th 最高: -1V
产地: US United States
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
NDS332P
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
NDS332P
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型号: NDS332P 品牌: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 备注: 场效应管 MOSFET P SOT-23
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Q Q:
800152669
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