PDF查询| 数据列表 | MMBT3646 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 300mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 30mA，300mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 30mA，400mV |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT3646-ND MMBT3646TR |
